OMICRON－CTOMICRON－CT 分析(xi)儀

OMICRON－CT 分析(xi)儀是壹個(ge)僅(jin)重(zhong)8kg的供二(er)次(ci)測(ce)試(shi)人員(yuan)在(zai)現(xian)場(chang)應(ying)用的多(duo)功能(neng)電(dian)子儀器(qi)。設計應(ying)用於：電流(liu)互(hu)感(gan)器(qi)的勵磁(ci)曲(qu)線、變比(bi)、極性、線(xian)圈電(dian)阻(zu)、負載(zai)阻(zu)抗、剩磁(ci)、二(er)次(ci)時(shi)間常數等(deng)穩(wen)態(tai)及(ji)暫(zan)態(tai)特性測(ce)試(shi)與(yu)分析。（壹分(fen)鐘(zhong)內完(wan)成(cheng)CT參(can)數(shu)的測(ce)試(shi)）

更新(xin)時(shi)間：2024-05-07
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廠商性(xing)質(zhi)：生產廠家(jia)
產地：上海寶(bao)山(shan)

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OMICRON－CT 分析儀是壹個(ge)僅(jin)重(zhong)8kg的供二(er)次(ci)測(ce)試(shi)人員(yuan)在(zai)現(xian)場(chang)應(ying)用的多(duo)功能(neng)電(dian)子儀器(qi)。
設計應(ying)用於：
電流(liu)互(hu)感(gan)器(qi)的勵磁(ci)曲(qu)線、變比(bi)、極性、線(xian)圈電(dian)阻(zu)、負載(zai)阻(zu)抗、剩磁(ci)、二(er)次(ci)時(shi)間常數等(deng)穩(wen)態(tai)及(ji)暫(zan)態(tai)特性測(ce)試(shi)與(yu)分析。
（壹分(fen)鐘(zhong)內完(wan)成(cheng)CT參(can)數(shu)的測(ce)試(shi)）

應(ying)用方(fang)面(mian)

（歐洲(zhou)號：EP 1 398 644 A1）

校(xiao)核(he)CT的額(e)定(ding)參數
測(ce)量(liang)校(xiao)核(he)CT的銘(ming)牌(pai)參(can)數、勵磁(ci)特性、穩(wen)態(tai)誤(wu)差(cha)、暫態(tai)誤(wu)差(cha)及(ji)二(er)次(ci)負載(zai)等(deng)
校(xiao)驗測(ce)量(liang)用CT的誤(wu)差(cha)
自動給出(chu)在(zai)1％－200％額(e)定(ding)電流和0％－100％額(e)定(ding)功率情(qing)況(kuang)下，變比誤(wu)差(cha)與(yu)相(xiang)位(wei)誤(wu)差(cha)列表(biao)。
測(ce)量(liang)校(xiao)核(he)各種(zhong)要求(qiu)的CT
測(ce)試(shi) 級暫態(tai)CT，目前(qian)世界(jie)上能在(zai)現(xian)場(chang)自(zi)動測(ce)試(shi)分析級暫態(tai)CT的裝置
測(ce)試(shi)勵磁(ci)飽(bao)和電壓(ya)達到40KV的CT
用於自動(dong)推斷(duan)出CT的銘(ming)牌(pai)
用於差動(dong)保護(hu)試(shi)驗時各(ge)側(ce)CT的全面(mian)檢(jian)查(zha)
傳(chuan)變特性比(bi)較(jiao)，勵磁(ci)特性比(bi)較(jiao)，誤(wu)差(cha)特性比(bi)較(jiao)，暫(zan)態(tai)特性比(bi)較(jiao)
用於CT二次(ci)負載(zai)發生變化(hua)
用於系(xi)統短(duan)路電流(liu)發生變化(hua)
用於分析(xi)CT的暫態(tai)特性對(dui)繼(ji)電保護(hu)裝置的影(ying)響

主要參(can)數(shu)

發(fa)生器(qi)/放大器(qi)部分	變比精(jing)度(du)　對(dui)於0VA升(sheng)到(dao)額(e)定(ding)功率	相(xiang)位(wei)測(ce)量(liang)
輸出電流(liu) 0-5A（15A峰(feng)值）	變(bian)比(bi)1-2000 0.02%	分(fen)辨率	0.1min
輸出電壓(ya) 0-120V	變(bian)比 2000-5000 0.03%	準確率	1min
輸出功率 0-350VA（1500峰值）	變(bian)比(bi) 5000-10000 0.05%	（對(dui)於cosφ0.8-1）

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